I_T(RAS)

通态均方根电流

20

A

V_DRM / V_RRM

断态/反向重复值电压

 800/1000

V

V_TM

通态峰值电压

1.5

V

I_TSM

通态不重复浪涌电流(tp=10ms)

200

A

I²t

I²t值(tp=10ms)

200

A²S

dI/dt

通态电流临界上升率

I_G=2I_GT，tr100ns,Tj=125

50

A/μs

IGM

控制极峰值耗散电流(tp=20μs)

5

A

PG( )

控制极平均耗散功率

1

W

Tstg

Tj

贮存温度

操作结口温度

-40--+150

-40--+125

CW

IGT

触发电流，VD=12V,R_L=30Ω

10-25

mA

----

I_DRM

V_D=V_DRM

T_j=25

5

μA

T_j=125

2

mA

I_RRM

V_D=V_RRM

T_j=25

5

μA

T_j=125

2

mA

I_L

I_G=1.2I_GT

50

mA

----

60

VGT

门极触发电压VD=12V,R_L=30Ω

1.5

V

VGD

门极不触发电压VD=VDRM, R_L=3.3KΩ,Tj=125

0.2

V

V_TM

通态峰值电压I_TM=25A,tp=380μs

1.5

V

IH

维持电流V_D=12V，IT=200mA

25

mA

dV/dt

断态电压临界上升率VD=67V_DRM,

门极打开 Tj=125

500

v/μs